Samsung 8GB DDR4 PC4-21300, 2666MHZ, 260 PIN SODIMM, 1.2V, CL 19 μονάδα μνήμης φορητού υπολογιστή ram

Προσφέρουμε μια μεγάλη ποικιλία προϊόντων και οι ακόλουθες προφυλάξεις ισχύουν για ορισμένα από αυτά. Σημειώστε ότι αναφέρονται για όλα τα προϊόντα. 【Συμβατότητα τάσης】 Σχεδιασμένο για ιαπωνική τάση (90-110V). Η χρήση με διαφορετική τάση μπορεί να προκαλέσει δυσλειτουργία. 【Τύπος βύσματος】 Ιαπωνικά βύσματα (Α ή Β τύπου). Χρησιμοποιήστε έναν προσαρμογέα μετατροπής εάν χρειάζεται. 【Μετασχηματιστές & προσαρμογείς】 Οι μετασχηματιστές ρυθμίζουν την τάση; οι προσαρμογείς αλλάζουν μόνο σχήμα βύσματος. Η χρήση προσαρμογέα χωρίς μετασχηματιστή μπορεί να προκαλέσει βλάβη στο προϊόν. 【Ευθύνη】Δεν φέρουμε ευθύνη για ζημιές που προκαλούνται από ακατάλληλη χρήση, όπως η χρήση του προϊόντος χωρίς μετασχηματιστή. Συνολική χωρητικότητα: 8 GB (M471A1K43CB1-CTD). Παράγοντας μορφής: SODIMM 260 ακίδων. Προδιαγραφές: DDR4 PC4-21300, CL=19, χωρίς buffer, NON-ECC, DDR4-2666, 1.2V. Ταχύτητα: 2666 MHz. Εγγύηση εφ 'όρου ζωής Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 2666MHZ SODIMM M471A1K43CB1-CTD